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J-GLOBAL ID：201702295232042683   Reference number：17A1619716

Low noise homodyne detection of terahertz waves by zero-biased InP/InGaAs Fermi-level managed barrier diode

ゼロバイアス動作InP/InGaAsフェルミレベル制御バリアダイオードによるテラヘルツ波の低雑音ホモダイン検出

Author (3)： Ito Hiroshi (Center for Natural Sciences, Kitasato University) ,  Ito Hiroshi (Graduate School of Medical Sciences, Kitasato University) ,  Ishibashi Tadao (NTT Electronics Techno Co.)
Material： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electron Express (Web))
Volume： 14  Issue： 18  Page： 20170722(J-STAGE)  Publication year： 2017 
JST Material Number： U0039A  ISSN： 1349-2543  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *detection ,  *synchronous detection ,  indium phosphide ,  indium gallium arsenide ,  *diode ,  noise(signal)
Semi thesaurus term： InGaAs ,  InP ,  *terahertz detection ,  *homodyne detection ,  low noise

Author keywords (3)： THz wave ,  homodyne detection ,  noise equivalent power

JST classification (1)： Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Reference (11)：

• [1] T. W. Croweet al.: “GaAs Schottky diodes for THz mixing applications,” Proc. IEEE 80 (1992) 1827 (DOI: 10.1109/5.175258).
• [2] P. H. Siegel and R. J. Dengler: “Terahertz heterodyne imaging part I: Introduction and techniques,” Int. J. Infrared Millim. Waves 27 (2006) 465 (DOI: 10.1007/s10762-006-9103-x).
• [3] F. Sizov and A. Rogalski: “THz detectors,” Prog. Quantum Electron. 34 (2010) 278 (DOI: 10.1016/j.pquantelec.2010.06.002).
• [4] S. Preuet al.: “Terahertz detection by a homodyne field effect transistor multiplicative mixer,” IEEE Trans. THz Sci. Technol. 2 (2012) 278 (DOI: 10.1109/TTHZ.2012.2191671).
• [5] S. S. Gearhartet al.: “A wide-band 760-GHz planar integrated Schottky receiver,” IEEE Microw. Guided Wave Lett. 3 (1993) 205 (DOI: 10.1109/75.222776).

Terms in the title (9)： バイアス ,  InP ,  InGaAs ,  フェルミレベル ,  バリア ,  ダイオード ,  テラヘルツ波 ,  低雑音 ,  ホモダイン検出