半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016086570
Publication number (International publication number)：2017195348
Application date： Apr. 22, 2016
Publication date： Oct. 26, 2017
Summary：

【課題】FeFETが持つ105秒以上のデータ保持特性と108回以上のデータ書換え耐性特性を損なわずに強誘電体の膜厚(df)を微細化に適するように59nm Claim (excerpt)：

半導体基体上に絶縁体とビスマス層状ペロブスカイト結晶の強誘電体の構成元素で構成された膜と金属をこの順序で形成した後に強誘電体結晶化アニールを行う、半導体基体と絶縁体と強誘電体と金属から成る素子の製造方法であって、前記膜はストロンチウムとビスマスとタンタルと酸素の元素で構成される膜、カルシウムとストロンチウムとビスマスとタンタルと酸素の膜、ストロンチウムとビスマスとタンタルとニオブと酸素の膜、カルシウムとストロンチウムとビスマスとタンタルとニオブと酸素の膜であり、前記金属はIrあるいはPtあるいはIrとPtの合金あるいはRuで構成し、前記強誘電体結晶化アニールは、窒素に酸素を足した混合ガス中あるいはアルゴンに酸素を足した混合ガス中で行うことを特徴とする半導体強誘電体記憶素子の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 21/336 , H01L 29/792 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 371 , H01L21/316 X , H01L21/316 Y

F-Term (22)：

5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BF06 , 5F058BF11 , 5F058BF12 , 5F058BF13 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BH05 , 5F058BH07 , 5F083FR06 , 5F083GA12 , 5F083JA02 , 5F083JA13 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083PR33 , 5F101BA62

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

強誘電体メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-047782 Applicant：ローム株式会社
強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-302611 Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
強誘電体薄膜、強誘電体キャパシタ、及び強誘電体メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-038194 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

強誘電体メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-047782 Applicant：ローム株式会社
強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-302611 Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学
強誘電体薄膜、強誘電体キャパシタ、及び強誘電体メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-038194 Applicant：ソニー株式会社

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