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J-GLOBAL ID：201703002865167548

プロトン伝導性材料、固体電解質膜、及びプロトン伝導性材料の製造方法

Inventor： 川副 博司 ,  山下 俊晴 ,  小俣 孝久 ,  西井 準冶 ,  石山 智大
Applicant, Patent owner： 川副 博司 ,  野呂 良彦 ,  山下 俊晴
Agent (1)： 特許業務法人アイ・ピー・ウィン
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014066480
Publication number (International publication number)：2015189603
Patent number：6041826
Application date： Mar. 27, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 アルカリの酸化物と、多価陽性元素の酸化物と、リン酸化物と、を含むガラス材料において、前記アルカリの酸化物由来のアルカリイオンの少なくとも一部をプロトンに置換して得られるプロトン伝導性材料であって、前記多価陽性元素はアルミニウム酸化物(AlO3/2)、ガリウム酸化物(GaO3/2)、スカンジウム酸化物(ScO3/2)、イットリウム酸化物(YO3/2)、ランタン酸化物(LaO3/2)、ランタニド酸化物(LnO3/2)、及びタンタル酸化物(TaO5/2)よりなる群から選ばれる少なくとも一種である、プロトン伝導性材料(但し、分散したリン酸塩系結晶、又は、前記ガラス材料中において複数の酸化数状態をとる多価陽性元素の酸化物のいずれかを含むものを除く)。

IPC (8)：

C03C 3/16 ( 200 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C03C 3/17 ( 200 6.01) ,  C03C 3/062 ( 200 6.01) ,  H01B 1/08 ( 200 6.01) ,  H01M 8/02 ( 201 6.01) ,  H01M 8/10 ( 201 6.01)

FI (8)：

C03C 3/16 ,  H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  C03C 3/17 ,  C03C 3/062 ,  H01B 1/08 ,  H01M 8/02 M ,  H01M 8/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プロトン伝導性材料、固体電解質膜、及びプロトン伝導性材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-215397   Applicant：川副フロンティアテクノロジー株式会社
• プロトン伝導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-177486   Applicant：日本電気硝子株式会社