Pat

J-GLOBAL ID：201703002928895069

導電性薄膜の製造方法

Inventor： 幾原 雄一 ,  山本 剛久 ,  柴田 直哉 ,  水向 祐樹 ,  小林 俊介
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学
Agent (3)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012200917
Publication number (International publication number)：2014056717
Patent number：6112499
Application date： Sep. 12, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】一般式ABO3で表されるペロブスカイト型酸化物で形成され、複数の空孔が集まって形成された空孔群を有し、前記空孔群によって歪が生じている導電性薄膜を製造する方法であって、 前記Bサイトの金属イオンが過剰な組成の前記導電性薄膜を、1150°C以上の温度で成膜することを特徴とする導電性薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01B 5/14 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/532 ( 200 6.01) ,  C01G 23/00 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01B 5/14 Z ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01B 5/14 A ,  C01G 23/00 C ,  C23C 14/28

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 日本金属学会講演概要2011年秋期(第149回)大会, 20111020, S1・1