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J-GLOBAL ID：201703006135734337

薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： 林 宏 ,  泉 知明 ,  野々口 茉美 ,  葭谷 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社JOLED
Agent (2)： 吉川 修一 ,  傍島 正朗
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013205683
Publication number (International publication number)：2015070223
Patent number：6142200
Application date： Sep. 30, 2013
Publication date： Apr. 13, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、 前記基板の上方に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極に対向するように前記基板の上方に形成された酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に形成された第1絶縁層と、 前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極とを備え、 前記酸化物半導体層の酸素欠陥の状態密度DOS[eV-1cm-3]は、 前記酸化物半導体層の伝導帯端のエネルギー準位をEc[eV]とし、前記酸化物半導体層の所定のエネルギー準位をE[eV]としたとき、 2.0eV≦Ec-E≦2.7eVにおいて、DOS≦1.710×1017×(Ec-E)2-6.468×1017×(Ec-E)+6.113×1017 を満たす 薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 Z ,  H05B 33/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-106459   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体装置および半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-207653   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体素子の閾値電圧の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-124859   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-051330   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-255734   Applicant：カシオ計算機株式会社