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J-GLOBAL ID：201703007705374123

銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 奥 健夫 ,  藤本 和也 ,  秋山 毅 ,  鈴木 厚志
Applicant, Patent owner： 公立大学法人 滋賀県立大学
Agent (3)： 楠本 高義 ,  中越 貴宣 ,  三雲 悟志
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013057569
Publication number (International publication number)：2014183244
Patent number：6108346
Application date： Mar. 21, 2013
Publication date： Sep. 29, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板を準備する工程と、 前記基板の一面上に第1電極を形成する工程と、 前記第1電極の上にn型半導体層を形成する工程と、 前記n型半導体層の上に銅酸化物半導体を使用したp型半導体層を形成する工程と、 前記p型半導体層の上に第2電極を形成する工程と、 を含む銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法であって、 前記p型半導体層を形成する工程が、 水溶性銅塩を含むアルカリ性水溶液に対し、水酸化リチウムを用いてpHを調整する工程と、 前記pHを調整されたアルカリ性水溶液の中で、前記n型半導体層の上に電析によってp型半導体層を形成する工程と、 を含む銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/072 ( 201 2.01) ,  H01L 31/0256 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 31/06 400 ,  H01L 31/04 320

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化物薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-056883   Applicant：伊崎昌伸, 奥野製薬工業株式会社
• 光電変換装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-057578   Applicant：キヤノン株式会社
• 亜酸化銅の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-107312   Applicant：チタン工業株式会社