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J-GLOBAL ID：200903016417861776
光電変換装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057578
Publication number (International publication number)：2003258278
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 簡易に、低コストで、酸化物光電変換素子が十分な開放電圧や電流値が得られるようにする。【解決手段】 n型層とp型層とを積層形成した光電変換装置であって、前記n型層をZnO針状結晶13からなる層とし、且つ前記p型層をCu2O層14としている。ZnO針状結晶13はZnOやSnO2からなるn型酸化物半導体31の連続膜に接続している。また、前記ZnO針状結晶13の平均径を300nm以下とし、且つアスペクト比を20以上としている。
Claim (excerpt)：
n型層とp型層とを積層形成した光電変換装置であって、前記n型層がZnO針状結晶からなる層であり、且つ前記p型層がCu2Oからなる層であることを特徴とする光電変換装置。
F-Term (6)：
5F051AA20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051HA01
Cited by examiner (15)
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光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-268725
Applicant：キヤノン株式会社
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光電変換素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-046570
Applicant：スター精密株式会社
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光起電力素子および光起電力素子モジュール
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-322802
Applicant：キヤノン株式会社
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