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J-GLOBAL ID：201703008000910634
結晶系シリコン太陽電池及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 小澤 圭子
, 柴田 明夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013190451
Publication number (International publication number)：2015056586
Patent number：6176783
Application date： Sep. 13, 2013
Publication date： Mar. 23, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 一の導電型の結晶系シリコン基板を用意する工程と、
結晶系シリコン基板の一方の表面に、他の導電型の不純物拡散層を形成する工程と、
フッ酸、硫酸及び硝酸を含むエッチング溶液を用いて、不純物拡散層の一部をエッチングするとともに、不純物拡散層の表面にシリコン酸化膜を形成する工程であって、エッチング溶液が、フッ酸1重量部に対し、硫酸を8〜30重量部及び硝酸を150〜700重量部含む、工程と、
シリコン酸化膜の表面に反射防止膜を形成する工程と、
第1の導電性ペーストを、反射防止膜の表面に印刷し、及び焼成することによって光入射側電極を形成する工程とを含む、結晶系シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (2)：
H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/068 ( 201 2.01)
H01L 31/04 420
, H01L 31/06 300
