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J-GLOBAL ID：201703009010017438

電界放出素子及び電界放出素子を備える装置

Inventor：
長尾 昌善

About 長尾 昌善

, 
吉澤 俊一

About 吉澤 俊一


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

About 国立研究開発法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016071332
Publication number (International publication number)：2017183180
Application date： Mar. 31, 2016
Publication date： Oct. 05, 2017
Summary：
【課題】放電により破壊されることを防止した、絶縁耐性の向上した電界放出素子及び該電界放出素子を備える装置を提供する。【解決手段】電界放出素子において、先端が先鋭な電子放出端となっているエミッタと、前記エミッタの先端を露呈する開口を有する引き出し用ゲート電極と、前記エミッタの電子放出端を露出する開口周縁を有し、前記エミッタの側壁を被覆するエミッタ側壁被覆絶縁層とを備え、前記エミッタの先端と前記引き出し用ゲート電極との最短距離をD、前記エミッタと前記エミッタ側壁被覆絶縁層と真空の三つの境界線が重なる三重点と、電子放出端との距離をLtとした時に、Lt<D/2を満たす構造とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
先端が先鋭な電子放出端となっているエミッタと、 前記エミッタの先端を露呈する開口を有する引き出し用ゲート電極と、 前記エミッタの電子放出端を露出する開口周縁を有し、前記エミッタの側壁を被覆するエミッタ側壁被覆絶縁層とを備え、 前記エミッタの先端と前記引き出し用ゲート電極との最短距離をD、前記エミッタと前記エミッタ側壁被覆絶縁層と真空の三つの境界線が重なる三重点と、電子放出端との距離をLtとした時に、 Lt<D/2 であることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
F-Term (10)：
5C227AA12 ,  5C227AB03 ,  5C227AD03 ,  5C227AD06 ,  5C227AD14 ,  5C227AD15 ,  5C227AD22 ,  5C227AD28 ,  5C227AD32 ,  5C227AD37
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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