Pat

J-GLOBAL ID：201703009273215471

リモネン誘導体の製造方法

Inventor： 星野 宗広 ,  田中 雅裕 ,  岩井 秀雄 ,  佐々木 理斗 ,  キタイン アルマンド ,  佐々木 満
Applicant, Patent owner： 株式会社 アスキー
Agent (3)： 松本 久紀 ,  松本 紀一郎 ,  水野 基樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013251378
Publication number (International publication number)：2015107932
Patent number：6195513
Application date： Dec. 04, 2013
Publication date： Jun. 11, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 リモネン含有物を過酸化水素水とともに反応容器に入れ、温度150〜200°Cの条件で10〜80分間の湿式酸化処理を行う工程を含むことを特徴とする、無触媒下でリモネン異性化物、リモネン部分酸化物、水溶性リモネン誘導体から選ばれる少なくとも1以上を製造する方法。

IPC (24)：

C07C 5/25 ( 200 6.01) ,  C07C 5/29 ( 200 6.01) ,  C07C 5/31 ( 200 6.01) ,  C07C 5/42 ( 200 6.01) ,  C07C 13/20 ( 200 6.01) ,  C07C 13/23 ( 200 6.01) ,  C07C 13/38 ( 200 6.01) ,  C07C 13/42 ( 200 6.01) ,  C07C 15/02 ( 200 6.01) ,  C07C 15/44 ( 200 6.01) ,  A23L 33/105 ( 201 6.01) ,  C07C 49/603 ( 200 6.01) ,  C07C 49/647 ( 200 6.01) ,  C07C 45/28 ( 200 6.01) ,  C07C 29/04 ( 200 6.01) ,  C07C 35/17 ( 200 6.01) ,  C07C 35/18 ( 200 6.01) ,  C07C 37/06 ( 200 6.01) ,  C07C 37/50 ( 200 6.01) ,  C07C 39/06 ( 200 6.01) ,  C07C 39/07 ( 200 6.01) ,  C07C 49/76 ( 200 6.01) ,  C07C 67/00 ( 200 6.01) ,  C07C 69/24 ( 200 6.01)

FI (24)：

C07C 5/25 ,  C07C 5/29 ,  C07C 5/31 ,  C07C 5/42 ,  C07C 13/20 ,  C07C 13/23 ,  C07C 13/38 ,  C07C 13/42 ,  C07C 15/02 ,  C07C 15/44 ,  A23L 33/105 ,  C07C 49/603 ,  C07C 49/647 ,  C07C 45/28 ,  C07C 29/04 ,  C07C 35/17 ,  C07C 35/18 ,  C07C 37/06 ,  C07C 37/50 ,  C07C 39/06 ,  C07C 39/07 ,  C07C 49/76 A ,  C07C 67/00 ,  C07C 69/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 蒸煮爆砕装置を用いた難消化性デキストリンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-059807   Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学