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J-GLOBAL ID:201703009561047303

ドーピング方法、導電性構造体の製造方法、繊維状構造の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人太陽国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016094691
Publication number (International publication number):2017204535
Application date: May. 10, 2016
Publication date: Nov. 16, 2017
Summary:
【課題】本発明は、ドーピング対象物(例えば、各種化合物半導体、単元素半導体、金属酸化物)に対し、容易に陽イオンをドーピングすることができるドーピング方法を提供する。【解決手段】金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。
IPC (16):
H01L 21/228 ,  H01L 21/388 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/167 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/22 ,  H01L 29/227 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/208
FI (18):
H01L21/228 ,  H01L21/388 ,  H01L21/22 Y ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/322 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/167 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L29/207 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L21/22 C ,  H01L21/208
F-Term (29):
5F053AA50 ,  5F053DD03 ,  5F053DD04 ,  5F053DD07 ,  5F053DD08 ,  5F053DD09 ,  5F053GG10 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG53 ,  5F110GG60 ,  5F110HK02 ,  5F110HK33

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