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J-GLOBAL ID：201703009561047303

ドーピング方法、導電性構造体の製造方法、繊維状構造の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 相川 慎也 ,  橋本 英樹 ,  阿相 英孝 ,  小野 幸子
Applicant, Patent owner： 学校法人 工学院大学
Agent (1)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016094691
Publication number (International publication number)：2017204535
Application date： May. 10, 2016
Publication date： Nov. 16, 2017
Summary：

【課題】本発明は、ドーピング対象物(例えば、各種化合物半導体、単元素半導体、金属酸化物)に対し、容易に陽イオンをドーピングすることができるドーピング方法を提供する。【解決手段】金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。

IPC (16)：

H01L 21/228 ,  H01L 21/388 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/167 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/22 ,  H01L 29/227 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/208

FI (18)：

H01L21/228 ,  H01L21/388 ,  H01L21/22 Y ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/322 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/167 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L29/207 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L21/22 C ,  H01L21/208

F-Term (29)：

5F053AA50 ,  5F053DD03 ,  5F053DD04 ,  5F053DD07 ,  5F053DD08 ,  5F053DD09 ,  5F053GG10 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG53 ,  5F110GG60 ,  5F110HK02 ,  5F110HK33