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J-GLOBAL ID:201703010845860690

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016011896
Publication number (International publication number):2017123134
Application date: Jan. 06, 2016
Publication date: Jul. 13, 2017
Summary:
【課題】不揮発性記憶素子を備える半導体装置のフリップフロップ記憶データ位相に不一致が生じても、自動的に処理が再開できる制御を可能とする。【解決手段】半導体装置は、数クロック分の履歴を持たせ、クロック分配が均一状態まで遡れる不揮発性フリップフロップから構成されるパイプラインレジスタ30、31、32と、レジスタ単位でクロックが到達したかの情報を不揮発に記憶する履歴カウンタ40、41、42と、電源復帰時各レジスタの履歴カウンタ値を読出し線80、81、82を通して位相情報の一致する最新履歴まで遡り履歴カウンタ40、41、42の位相情報を一致させる位相書き込み線90、91、92を通して出力する制御回路50と、を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
複数クロックの履歴データを保持する不揮発性記憶素子を備えたフリップフロップと前記履歴データの位相情報を持つ不揮発性記憶素子を備えたカウンタと、 電源回復時に各フリップフロップの位相情報を照合し、位相の揃ったデータを取り出す制御回路、 を含み、電源回復時時に自動復帰機能を備えた半導体装置。
IPC (1):
G06F 1/30
FI (1):
G06F1/30 M
F-Term (4):
5B011EB01 ,  5B011GG02 ,  5B011JA04 ,  5B011MB07

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