Pat
J-GLOBAL ID:201703012833271896
磁気素子、磁気素子を製造する方法、および磁気メモリ装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016049981
Publication number (International publication number):2017168514
Application date: Mar. 14, 2016
Publication date: Sep. 21, 2017
Summary:
【課題】電流駆動により、従来の磁気構造よりも安定して高速で移動する磁気構造が形成された磁気素子を提供する。【解決手段】磁気素子は、面直方向に磁化され且つ反強磁性交換結合した第1磁性層および第2磁性層を備える。第1磁性層および第2磁性層には、第1磁性層側から見て互いに回転方向が逆である一対の渦状磁気構造が形成されている。各渦状磁気構造の中心部と該渦状磁気構造の外部とで、磁気モーメントの向きが反平行である。渦状磁気構造対は、第1磁性層の一部にレーザ光を照射して局所的な加熱を行うステップと、第1磁性層の磁化方向と逆向きに外部磁場を印加し、第1磁性層の一部で磁気モーメントを反転させるステップとを経て製造される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
面直方向に磁化され且つ反強磁性交換結合した第1磁性層および第2磁性層を備え、
前記第1磁性層および前記第2磁性層には、前記第1磁性層側から見て互いに回転方向が逆である一対の渦状磁気構造が形成され、
各渦状磁気構造の中心部と該渦状磁気構造の外部とで、磁気モーメントの向きが反平行である、
磁気素子。
IPC (5):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/12
, H01L 43/10
FI (4):
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L43/12
, H01L43/10
F-Term (25):
4M119AA01
, 4M119AA05
, 4M119BB01
, 4M119CC10
, 4M119DD05
, 4M119DD17
, 4M119JJ09
, 4M119KK10
, 5F092AA03
, 5F092AA04
, 5F092AA15
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD24
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BB45
, 5F092CA25
, 5F092GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
磁気記録媒体および磁気記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-061225
Applicant:富士通株式会社
Cited by examiner (1)
-
磁気記録媒体および磁気記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-061225
Applicant:富士通株式会社
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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