垂直磁化膜構造およびその製造方法、それを用いた磁気抵抗素子およびその製造方法、ならびにこれらを用いたスピントロニクスデバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015163996
Publication number (International publication number)：2017041606
Application date： Aug. 21, 2015
Publication date： Feb. 23, 2017
Summary：

【課題】不揮発性磁気ランダムアクセスメモリーに利用可能な強い垂直磁化膜構造を提供すること。【解決手段】アルミニウムを含む強磁性体層と、非磁性の酸化物層からなる積層膜構造であり、前記酸化物層がスピネル構造もしくはスピネル構造の陽イオンサイトが不規則化した構造を持つ酸化物であり、(001)面方位を有することを特徴とする垂直磁化膜構造。【効果】Alを含む強磁性層とMgAl2O4を主体とする酸化物層間の界面固相反応を利用して、これらの界面に強い磁気異方性を誘起させることで、上記強い垂直磁化膜構造を提供できる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

(001)面方位の立方晶系単結晶または(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板と、当該基板の上に位置するとともに金属からなる下地層と、当該下地層の上に位置するとともに、組成材料としてアルミニウムを含むコバルト基フルホイスラー合金もしくはコバルト基フルホイスラー合金の生成物層からなり(001)面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層と、当該垂直磁化層の上に位置するとともにスピネル構造もしくはスピネル構造の陽イオンサイトが不規則化した構造を持つ酸化物であり、(001)方位を有する非磁性層と、を備えることを特徴とする垂直磁化膜構造。

IPC (9)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 43/12 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G01R 33/09

FI (8)：

H01L43/08 M , H01L43/12 , H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , G01R33/06 R

F-Term (39)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119JJ02 , 4M119JJ03 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AB01 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB05 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC14 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092CA02 , 5F092CA14 , 5F092CA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

スピントランジスタおよびメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-209915 Applicant：株式会社東芝

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