スピントランジスタおよびメモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011209915
Publication number (International publication number)：2013073973
Application date： Sep. 26, 2011
Publication date： Apr. 22, 2013
Summary：

【課題】IDP/IDAP比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース/ドレインの一方となる第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース/ドレインの他方となる第2磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたソース/ドレインの一方となる第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース/ドレインの他方となる第2磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えていることを特徴とするスピントランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3)：

H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

F-Term (28)：

4M119BB01 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD17 , 4M119DD34 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC24 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC04 , 5F092BD04 , 5F092BD05 , 5F092BD07 , 5F092BD14 , 5F092BD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

スピントランジスタ及び論理回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-071363 Applicant：株式会社東芝
スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-086145 Applicant：科学技術振興事業団
スピントランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-229199 Applicant：TDK株式会社

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