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J-GLOBAL ID：201703013833662948

マイクロ電極の電極表面の処理方法、表面処理マイクロ電極の製造方法及び表面処理マイクロ電極

Inventor： 池上 真志樹 ,  平野 悠 ,  小松 康雄
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (4)： 木村 満 ,  太田 清子 ,  齋藤 悦子 ,  毛受 隆典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015093240
Publication number (International publication number)：2016211882
Application date： Apr. 30, 2015
Publication date： Dec. 15, 2016
Summary：

【課題】簡便かつ効率的に電極表面積を増大させることのできるマイクロ電極の電極表面の処理方法及び表面処理マイクロ電極の製造方法、並びに電極表面積が大きい表面処理マイクロ電極を提供する。【解決手段】マイクロ電極の電極表面の処理方法は、遊離可能な水素イオンの濃度に換算して0mMを超えて100mM未満の酸性溶液に浸された、導電性細線を備えるマイクロ電極に対して印加処理する工程を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

遊離可能な水素イオンの濃度に換算して0mMを超えて100mM未満の酸性溶液に浸された、導電性細線を備えるマイクロ電極に対して印加処理する工程を含む、マイクロ電極の電極表面の処理方法。

IPC (2)：

G01N 27/30 ,  G01N 27/26

FI (3)：

G01N27/30 F ,  G01N27/26 S ,  G01N27/30 B