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J-GLOBAL ID：201703016102000376

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松岡 隆志 ,  窪谷 茂幸 ,  福田 承生
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社福田結晶技術研究所
Agent (2)： 山川 茂樹 ,  山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016055200
Publication number (International publication number)：2017168783
Application date： Mar. 18, 2016
Publication date： Sep. 21, 2017
Summary：

【課題】ScAlMgO4の単結晶からなる基板を用いることで、より性能のよい窒化物半導体による素子が製造できるようにする。【解決手段】第1工程S101で、ScAlMgO4の単結晶からなる基板の主表面以外の側面および底面をMgの拡散を抑制する抑制被膜で覆い(抑制被膜被覆工程)、第2工程S102で、基板と素子となる窒化物半導体の層との間にMgの拡散を抑制する抑制層を形成する(抑制層形成工程)。次に、第3工程S103で、基板の主表面上(抑制層上)に窒化物半導体の層を積層して窒化物半導体からなる素子を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ScAlMgO4の単結晶からなる基板の主表面上に窒化物半導体の層を積層して窒化物半導体からなる素子を形成する半導体装置の製造方法において、 前記基板と前記素子となる窒化物半導体の層との間にMgの拡散を抑制する抑制層を形成する抑制層形成工程、 および、 前記基板の主表面以外の側面および底面をMgの拡散を抑制する抑制被膜で覆う抑制被膜被覆工程 の少なくとも一方を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01S 5/343 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5)：

H01S5/343 610 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (43)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB30 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF07 ,  5F045BB14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F173AG08 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH50 ,  5F173AP62 ,  5F173AP82 ,  5F173AR81 ,  5F173AR92

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-039155   Applicant：国立大学法人東北大学, 株式会社福田結晶技術研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ScAlMgO4基板上へのGaN薄膜成長における不純物混入の抑制