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J-GLOBAL ID：201503019965719411

単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

Inventor： 松岡 隆志 ,  花田 貴 ,  福田 承生 ,  湊 明朗
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社福田結晶技術研究所
Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015039155
Publication number (International publication number)：2015178448
Application date： Feb. 27, 2015
Publication date： Oct. 08, 2015
Summary：

【課題】窒化物半導体を用いたレーザ素子の製造に使用されるGaN層からなる単結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】チョクラルスキー法によるScAlMgO4の単結晶体を形成する単結晶体形成工程S101と、ScAlMgO4の単結晶体を(0001)面で劈開することで、(0001)面からなる互いに平行な2面を有する板状とした、ScAlMgO4の単結晶からなる成長基板を形成する成長基板形成工程S102と、前記成長基板の上にGaNを結晶成長して単結晶のGaNからなるGaN層を形成するGaN成長工程と、前記GaN層が形成されている状態で前記成長基板を除去して前記GaN層からなる単結晶基板を形成する基板形成工程とを備える単結晶基板の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ScAlMgO4の単結晶体を形成する単結晶体形成工程と、 ScAlMgO4の単結晶体を(0001)面で劈開することで、(0001)面からなる互いに平行な2面を有する板状とした、ScAlMgO4の単結晶基板を形成する基板形成工程と を備えることを特徴とする単結晶基板の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (34)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK13 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039556   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 単結晶の製造方法、単結晶および複合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-328543   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化物系半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-240084   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-128769   Applicant：パイオニア株式会社