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J-GLOBAL ID：201703017805770773

無電解めっきの前処理方法

Inventor： 玉井 聡行 ,  渡辺 充 ,  姜 俊行 ,  喜多 あずさ
Applicant, Patent owner： 奥野製薬工業株式会社 ,  地方独立行政法人 大阪市立工業研究所
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015195150
Publication number (International publication number)：2017064656
Application date： Sep. 30, 2015
Publication date： Apr. 06, 2017
Summary：

【課題】無電解めっき皮膜との密着性に乏しい基材である高分子基材上に、密着性に優れた無電解めっき皮膜を形成することが可能な無電解めっきの前処理方法、及び当該前処理方法を含む無電解めっき方法を提供する。【解決手段】(1)高分子基材に対して、プラズマ処理又はUV処理を施す工程、及び(2)前記基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程を含む、無電解めっきの前処理方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(1)高分子基材に対して、プラズマ処理又はUV処理を施す工程、及び (2)前記高分子基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程 を含む、無電解めっきの前処理方法。

IPC (6)：

B05D 1/18 ,  C23C 18/20 ,  C23C 18/30 ,  B05D 7/02 ,  B05D 3/06 ,  B05D 3/04

FI (7)：

B05D1/18 ,  C23C18/20 A ,  C23C18/30 ,  C23C18/20 ,  B05D7/02 ,  B05D3/06 102Z ,  B05D3/04 C

F-Term (22)：

4D075AB01 ,  4D075AE19 ,  4D075BB46X ,  4D075BB49X ,  4D075BB87Z ,  4D075CA13 ,  4D075CA47 ,  4D075CA48 ,  4D075DA03 ,  4D075DB31 ,  4D075DB48 ,  4D075EA07 ,  4D075EB07 ,  4D075EB11 ,  4D075EB14 ,  4D075EB31 ,  4K022AA16 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 金属膜を有する部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-017868   Applicant：大日本印刷株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• その場合成によるハイブリッド薄膜の作製とその高分子表面の無電解めっきへの応用
• プラズマ処理とLbL積層を経るPENフィルムの表面改質