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J-GLOBAL ID：201703018191270074

半導体装置および測定装置

Inventor： 岩崎 孝之 ,  波多野 睦子
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016044454
Publication number (International publication number)：2017162910
Application date： Mar. 08, 2016
Publication date： Sep. 14, 2017
Summary：

【課題】 内部の物理パラメータを測定することができる半導体装置および測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の半導体層と、少なくとも1つの半導体層内に配置され、配置された半導体層内の特徴量に応じた信号を出力するセンサ部とを有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

複数の半導体層と、 少なくとも1つの半導体層内に配置され、配置された半導体層内の特徴量に応じた信号を出力するセンサ部と を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 C ,  H01L21/66 L

F-Term (8)：

4M106AA07 ,  4M106CA20 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC03 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置、半導体モジュール、および電子回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-007506   Applicant：株式会社東芝