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J-GLOBAL ID：201703018469128924

放射線検出素子の製造方法

Inventor：
青木 徹

About 青木 徹

, 
小池 昭史

About 小池 昭史


Applicant, Patent owner：
国立大学法人静岡大学

About 国立大学法人静岡大学

, 
株式会社ANSeeN

About 株式会社ANSeeN


Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016060685
Publication number (International publication number)：2017173174
Application date： Mar. 24, 2016
Publication date： Sep. 28, 2017
Summary：
【課題】高分解能かつ高感度のイメージングを実現することが可能な放射線検出素子を提供する。【解決手段】放射線検出素子の製造方法は、壁部17で仕切られた複数の収容部15にシンチレータ材料25が埋め込まれた放射線検出素子の製造方法であって、シンチレータ材料25を加熱により放出して蒸着させるための蒸着源7と、壁部17で仕切られた複数の収容部15が主面13aに沿って配列して形成された基板Sと、冷却面9aを有する冷却装置9とを、基板Sの複数の収容部15の開口15bが蒸着源7に対向し、基板Sの主面13bが冷却装置9の冷却面9aに接するように、真空容器3内に配置し、真空容器3内において、蒸着源7を加熱してシンチレータ材料25を放出させると共に、基板Sの主面13bを冷却装置9を用いて冷却する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
壁部で仕切られた複数の収容部にシンチレータ材料が埋め込まれた放射線検出素子の製造方法であって、 シンチレータ材料を加熱により放出して蒸着させるための蒸着源と、壁部で仕切られた複数の収容部が表面に沿って配列して形成された基板と、冷却面を有する冷却装置とを、前記基板の前記複数の収容部の開口が前記蒸着源に対向し、前記基板の前記開口の反対側の面が前記冷却装置の前記冷却面に接するように、真空容器内に配置し、 前記真空容器内において、前記蒸着源を加熱して前記シンチレータ材料を放出させると共に、前記基板の前記開口の反対側の面を前記冷却装置を用いて冷却する、 放射線検出素子の製造方法。
IPC (2)：
G21K 4/00 ,  G01T 1/20
FI (4)：
G21K4/00 A ,  G01T1/20 B ,  G01T1/20 G ,  G01T1/20 E
F-Term (16)：
2G083AA02 ,  2G083AA08 ,  2G083BB01 ,  2G083CC03 ,  2G083CC04 ,  2G083DD02 ,  2G083DD14 ,  2G083DD16 ,  2G083EE02 ,  2G083EE03 ,  2G188BB02 ,  2G188CC09 ,  2G188CC16 ,  2G188CC22 ,  2G188DD05 ,  2G188DD44
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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