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J-GLOBAL ID：201703020077574157

共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ

Inventor： 永瀬 成範 ,  清水 三聡 ,  時崎 高志
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2015050252
Publication number (International publication number)：WO2015105123
Application date： Jan. 07, 2015
Publication date： Jul. 16, 2015
Summary：

超高速動作が可能で、生産性が高く、低損失で低消費電力な共鳴トンネルダイオード素子及びこれを用いた不揮発性メモリを提供する。共鳴トンネルダイオード素子において、複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、分極または組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に設ける。または、井戸層とバリア層間に、井戸層及びバリア層のいずれともバンドギャップの異なる中間層を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に設ける。サブバンド遷移が可能な共鳴トンネルダイオード素子により、電子蓄積及び電子放出により双安定状態を記憶する不揮発性メモリを実現する。

Claim (excerpt)：

複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、分極または組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。

IPC (8)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/88 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/41 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (8)：

H01L29/88 F ,  H01L29/06 601W ,  H01L21/28 301B ,  H01L27/10 448 ,  H01L29/44 L ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (39)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD13 ,  4M104DD15 ,  4M104DD34 ,  4M104DD71 ,  4M104FF03 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25