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J-GLOBAL ID：201703021226659175

ベンゾビスチアジアゾール化合物、並びにこれを含む有機薄膜および有機半導体素子

Inventor： 安蘇 芳雄 ,  家 裕隆 ,  辛川 誠 ,  二谷 真司 ,  森山 太一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  石原産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016086571
Publication number (International publication number)：2017193521
Application date： Apr. 22, 2016
Publication date： Oct. 26, 2017
Summary：

【課題】電子輸送性および動作安定性に優れた有機半導体材料として利用可能なベンゾビスチアジアゾール化合物を提供する。【解決手段】式(I)で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物。(X1及びX2は各々独立にアルキニレン基、チエニレン基又はチアゾリレン基;Ar1及びAr2は各々独立にRで置換されたピリジル基、Rで置換されたN-オキシピリジル基、Rで置換されたピリミジニル基、Rで置換されたピラジル基又はRで置換されたフェニル基;Rは電子求引性置換基;但し、X1及びX2が共にチエニレン基である場合、Ar1及びAr2は各々独立に、Rで置換されたピリジル基、Rで置換されたN-オキシピリジル基、Rで置換されたピリミジニル基又はRで置換されたピラジル基)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式(I):

IPC (6)：

C07D 513/04 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/46 ,  H01L 51/42

FI (8)：

C07D513/04 301 ,  C07D513/04 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/04 154B ,  H01L31/04 154C ,  H01L31/08 T

F-Term (53)：

4C072AA01 ,  4C072AA07 ,  4C072BB02 ,  4C072BB06 ,  4C072CC04 ,  4C072CC17 ,  4C072EE12 ,  4C072FF13 ,  4C072GG01 ,  4C072HH06 ,  4C072HH07 ,  4C072UU10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14 ,  5F151AA11 ,  5F151BA17 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F849AB11 ,  5F849BA10 ,  5F849FA02 ,  5F849FA05 ,  5F849XA01 ,  5F849XA45 ,  5F849XA46