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J-GLOBAL ID：201802210414808608   Reference number：18A1700487

Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性

Author (6)： ASAI HIDEHIRO (産業技術総合研) ,  MORI TAKAHIRO (産業技術総合研) ,  MATSUKAWA TAKASHI (産業技術総合研) ,  HATTORI JUN'ICHI (産業技術総合研) ,  ENDO KAZUHIKO (産業技術総合研) ,  FUKUDA KOICHI (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21a-CE-2  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gate (semiconductor) ,  FET ,  characteristic ,  CAD ,  simulator program ,  current-voltage characteristic ,  *switching behavior ,  transfer characteristic
Semi thesaurus term： HyENEXSS ,  TCAD ,  *tunnel field effect transistor ,  Trimmed Gate ,  サブスレショルド係数

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： TFET ,  スイッチング特性