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J-GLOBAL ID：201802215108205781   Reference number：18A0917657

Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates

(113)B GaAs基板上に成長させたGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造における副格子反転

Author (4)： LU Xiangmeng (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  KUMAGAI Naoto (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  MINAMI Yasuo (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  KITADA Takahiro (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 015501.1-015501.3  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *substrate (plate) ,  *gallium arsenide ,  *device structure ,  *sublattice ,  refractive index ,  *MBE growth ,  etching ,  mesa structure ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  sequence and arrangement ,  resolving power ,  *hetero-structure ,  atomic arrangement ,  high index ,  *gallium arsenide substrate
Semi thesaurus term： *GaAs substrate ,  anisotropic etching ,  atomic resolution

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of inorganic compounds in general  (BK07001T)

Reference (31)：

• M. Tonouchi, Nat. Photonics 1, 97 (2007).
• R. A. Lewis, J. Phys. D 47, 374001 (2014).
• R. Köhler, A. Tredicucci, F. Beltram, H. E. Beere, E. H. Linfield, A. G. Davies, D. A. Ritchie, R. C. Iotti, and F. Rossi, Nature 417, 156 (2002).
• B. S. Williams, Nat. Photonics 1, 517 (2007).
• M. A. Belkin, J. A. Fan, S. Hormoz, F. Capasso, S. P. Khanna, M. Lachab, A. G. Davies, and E. H. Linfield, Opt. Express 16, 3242 (2008).

Terms in the title (7)： GaAs基板 ,  成長 ,  GaAs ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  副格子 ,  反転