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J-GLOBAL ID：201802217571803588   Reference number：18A0956422

Development of AlN/Diamond heterostructure formation and unique interface property

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ構造形成技術の開発と界面特異構造評価

Author (8)： IMURA MASATAKA (物質・材料研究機構) ,  BANAL Ryan (物質・材料研究機構) ,  LIAO Meiyong (物質・材料研究機構) ,  MATSUMOTO TAKAO (東大 大学院工学系研究科 総合研究機構) ,  KUMAMOTO AKIHITO (東大 大学院工学系研究科 総合研究機構) ,  SHIBATA NAOYA (東大 大学院工学系研究科 総合研究機構) ,  IKUHARA YUICHI (東大 大学院工学系研究科 総合研究機構) ,  KOIDE YASUO (物質・材料研究機構)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 45  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.45-1-05  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *Diamond ,  *heterojunction ,  power electronics ,  *single crystal ,  substrate (plate) ,  heteroepitaxy ,  *heat treatment ,  *positive hole ,  Hydrogen ,  Ammonia ,  mixed gas ,  end group ,  *band structure ,  *FET ,  valence band ,  offset ,  protective film ,  carrier density ,  *MOCVD ,  hydrogen terminated ,  *ore ,  *precious stone
Semi thesaurus term： valence band ,  field effect transistor

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (39)：

• 1) 吉川昌範, 大竹尚登共著: 図解 気相合成ダイヤモンド(オーム社, 1995).
• 2) 赤﨑勇編: III族窒化物半導体(培風館,1999).
• 3) 長谷川文夫, 吉川明彦共編: ワイドギャップ半導体 光・電子デバイス(森北出版, 2006).
• 4) L. S. Pan and D. R. Kania: Diamond: Electronic Properties and Applications, (Springer, London, 1995).
• 5) I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys., 36, (1997) 5393.

Terms in the title (11)： 結晶 ,  科学 ,  結晶成長 ,  物性 ,  相関 ,  窒化アルミニウム ,  ダイヤモンド ,  ヘテロ構造 ,  開発 ,  界面 ,  構造評価