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J-GLOBAL ID：201802219170734375   Reference number：18A0956419

Nitrogen-polar InGaN-based LEDs on sapphire fabricated using pulsed sputtering technique

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~パルススパッタ堆積法によるサファイア基板上N極性面InGaN LEDの作製

Author (5)： UENO KOHEI (東大 生産技研) ,  KISHIKAWA EIJI (東大 生産技研) ,  OTA JITSUO (東大 生産技研) ,  FUJIOKA HIROSHI (東大 生産技研) ,  FUJIOKA HIROSHI (JST-ACCEL)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 45  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.45-1-02  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sputtered deposition ,  *light emitting diode ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  doping ,  *polarity ,  indium compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  positive hole ,  carrier density ,  *visible light ,  solar cell ,  *electrical conductivity ,  *dislocation density ,  dependence ,  substrate (plate) ,  sapphire ,  film thickness dependence ,  *gallium indium nitride ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： *パルススパッタ蒸着 ,  *N極性 ,  *gallium indium nitride

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (36)：

• 1) M. Sumiya, K. Yoshimura, T. Ito, K. Ohtsuka, S. Fuke, K. Mizuno, M. Yoshimoto, H. Koinuma, A. Ohtomo, and M. Kawasaki:J. Appl. Phys. 88 (2000) 1158.
• 2) D. N. Nath, E. Gur, S. A. Ringel, and S. Rajan:Appl. Phys. Lett. 97, 071903 (2010). InGaN
• 3) K. Xu and A. Yoshikawa:Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 251.
• 4) H. Naoi, F. Matsuda, T. Araki, A. Suzuki, Y. Nanishi:J. Cryst. Growth 269 (2004) 155.
• 5) T. Matsuoka, Y. Kobayashi, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, A. Sasaki, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, M. Sumiya:Phys. Stat. sol. 243 (2006) 1446.

Terms in the title (12)： 結晶 ,  科学 ,  結晶成長 ,  物性 ,  相関 ,  パルス ,  スパッタ堆積 ,  サファイア基板 ,  極性 ,  InGaN ,  LED ,  作製