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J-GLOBAL ID：201802219170734375   Reference number：18A0956419

Nitrogen-polar InGaN-based LEDs on sapphire fabricated using pulsed sputtering technique

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~パルススパッタ堆積法によるサファイア基板上N極性面InGaN LEDの作製

Author (5)： UENO KOHEI (東大 生産技研) ,  KISHIKAWA EIJI (東大 生産技研) ,  OTA JITSUO (東大 生産技研) ,  FUJIOKA HIROSHI (東大 生産技研) ,  FUJIOKA HIROSHI (JST-ACCEL)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 45  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.45-1-02  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sputtered deposition ,  *light emitting diode ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  doping ,  *polarity ,  indium compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  positive hole ,  carrier density ,  *visible light ,  solar cell ,  *electrical conductivity ,  *dislocation density ,  dependence ,  substrate(plate) ,  sapphire
Semi thesaurus term： *パルススパッタ蒸着 ,  *N極性 ,  *gallium indium nitride ,  film thickness dependence

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (12)： 結晶 ,  科学 ,  結晶成長 ,  物性 ,  相関 ,  パルス ,  スパッタ堆積 ,  サファイア基板 ,  極性 ,  InGaN ,  LED ,  作製