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J-GLOBAL ID：201802220874754670   Reference number：18A1472558

Development of Deep UV Photosensor using III-VI Oxide Semiconductor

III族酸化物半導体を用いた深紫外線センサーの開発

Author (4)： ONUMA TAKEYOSHI (工学院大 先進工) ,  YAMAGUCHI TOMOHIRO (工学院大 先進工) ,  HONDA TOORU (工学院大 先進工) ,  CHO Jaehee (Chonbuk National Univ., KOR)
Material： 工学院大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute of Science and Technology, Kogakuin University)
Issue： 25  Page： 124-128  Publication year： Jul. 2018 
JST Material Number： L2538A  ISSN： 1341-5786  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  optical sensor ,  chemical vapor deposition ,  tin ,  doping ,  compound semiconductor ,  emission spectrum ,  refractive index ,  coefficient ,  optical constant ,  absorption coefficient ,  MBE growth ,  mist CVD ,  oxide semiconductor ,  *ultraviolet sensors
Semi thesaurus term： extinction coefficient

JST classification (1)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Terms in the title (5)： III族 ,  酸化物半導体 ,  深紫外線 ,  センサー ,  開発