Art

J-GLOBAL ID：201802224329268509   Reference number：18A0910889

Fringing field effects in negative capacitance field-effect transistors with a ferroelectric gate insulator

強誘電体ゲート絶縁膜を用いた負性容量電界効果トランジスタのフリンジ電界効果

Author (7)： HATTORI Junichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  IKEGAMI Tsutomu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAI Hidehiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FD07.1-04FD07.7  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  *electrostatic capacity ,  *electrostatic field ,  polarization (phenomenon) ,  *characteristic ,  electric potential ,  performance index ,  electrostatic potential ,  *ferroelectric FET ,  *negative capacitance
Semi thesaurus term： *ferroelectric FET ,  *negative capacitance ,  *fringe-field ,  *device characteristic ,  subthreshold swing

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  負性容量 ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果