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J-GLOBAL ID：201802224876628648   Reference number：18A1520299

Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

Raman散乱と赤外反射分光法によるGaNバルク基板のキャリア濃度と移動度のキャラクタリゼーション

Author (6)： KANEGAE Kazutaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANEKO Mitsuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 7  Page： 070309.1-070309.4  Publication year： Jul. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *N-type semiconductor ,  raw material ,  substrate(plate) ,  *carrier density ,  *Raman scattering ,  *infrared spectrum ,  *reflection spectrum ,  dielectric function ,  Hall effect ,  *carrier mobility ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： bulk ,  infrared reflection spectrum ,  electron mobility

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Reference (28)：

• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Oka, Y. Ueno, T. Ina, and K. Hasegawa, Appl. Phys. Express 7, 021002 (2014).
• H. Nie, Q. Diduck, B. Alvarez, A. Z. Edwards, B. M. Kayes, M. Zhang, G. Ye, T. Prunty, D. Bour, and I. C. Kizilyalli, IEEE Electron Device Lett. 35, 939 (2014).
• A. A. Kukharskii, Solid State Commun. 13, 1761 (1973).
• G. Irmer, V. V. Toporov, B. H. Bairamov, and J. Monecke, Phys. Status Solidi B 119, 595 (1983).

Terms in the title (8)： Raman散乱 ,  赤外反射 ,  分光法 ,  GaN ,  バルク ,  キャリア濃度 ,  移動度 ,  キャラクタリゼーション