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J-GLOBAL ID：201802225308280471   Reference number：18A1700539

基板温度を変化させて作製したZnOミストCVD膜の結晶性と発光特性(II)

Author (7)： SAITO YOSHIKI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  SAEKI SHOGO (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  KANNO TSUYOSHI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  NISHIKAWA KOJI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  TAKASAKI KO (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  FUKADA HARUKI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  YAMAGUCHI ATSUSHI (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21a-PA3-1  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  semiconductor thin film ,  *substrate temperature ,  *chemical vapor deposition ,  *crystallinity ,  *photoluminescence ,  reaction temperature ,  control equipment ,  X-Ray Diffraction ,  *mist CVD ,  mass flow controller ,  ZnO film
Semi thesaurus term： zinc oxide thin film

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 基板温度 ,  作製 ,  ZnO ,  ミストCVD ,  結晶性 ,  発光特性