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J-GLOBAL ID：201802228171731446   Reference number：18A0956418

Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

Author (5)： TANIKAWA TOMOYUKI (東北大 金属材料研) ,  PRASERTSUK Kiattiwut (東北大 金属材料研) ,  KIMURA TAKESHI (東北大 金属材料研) ,  KUBOYA SHIGEYUKI (東北大 金属材料研) ,  MATSUOKA TAKASHI (東北大 金属材料研)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 45  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.45-1-01  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOCVD ,  *compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *wurtzite type crystal ,  *polarity ,  crystal orientation ,  *gallium nitride ,  *substrate(plate) ,  sapphire ,  optical reflection ,  in situ observation ,  nucleation ,  heat treatment ,  HEMT ,  high temperature ,  nitriding ,  *surface treatment ,  *vicinal surface ,  additive effect ,  buffer layer ,  film thickness ,  dislocation density ,  flatness(property) ,  screw dislocation ,  edge dislocation ,  impurity ,  oxygen ,  complex defect ,  indium compound ,  light emitting diode ,  multiple quantum well ,  *surface defect ,  supersaturation ,  growth rate
Semi thesaurus term： *N極性 ,  vicinal surface ,  サーファクタント効果 ,  threading dislocation density ,  *ヒロック欠陥

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： 結晶 ,  科学 ,  結晶成長 ,  物性 ,  相関 ,  有機金属気相成長法 ,  極性 ,  窒化物半導体 ,  成長