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J-GLOBAL ID：201802228234349848   Reference number：18A1700868

TFETの短チャネル効果と界面ポテンシャル

Author (10)： FUKUDA KOICHI (産業技術総合研) ,  ASAI HIDEHIRO (産業技術総合研) ,  HATTORI JUN'ICHI (産業技術総合研) ,  MORI TAKAHIRO (産業技術総合研) ,  MORITA YUKINORI (産業技術総合研) ,  MASAHARA MEISHOKU (産業技術総合研) ,  MIGITA SHINJI (産業技術総合研) ,  OTA HIROYUKI (産業技術総合研) ,  ENDO KAZUHIKO (産業技術総合研) ,  MATSUKAWA TAKASHI (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21p-PB3-1  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： FET ,  *short channel effect ,  tunnel effect ,  voltage ,  Computer Simulation ,  leakage current ,  band structure ,  length ,  interband tunneling ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： *tunnel field effect transistor ,  gate length ,  gate voltage ,  device simulation ,  *interface potential

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： TFET ,  短チャネル効果 ,  界面ポテンシャル