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J-GLOBAL ID：201802237773430372   Reference number：18A0631512

Ta₂O₅ゲート絶縁膜によるInGaZnO薄膜トランジスタの低電圧駆動

Author (7)： TAKAHASHI TAKANORI (鶴岡工高専) ,  HOGA TAKESHI (鶴岡工高専) ,  MIYANAGA RYOKO (奈良先端科学技術大学院大) ,  FUJII MAMI (奈良先端科学技術大学院大) ,  ISHIKAWA YASUAKI (奈良先端科学技術大学院大) ,  URAOKA YUKIHARU (奈良先端科学技術大学院大) ,  UCHIYAMA KIYOSHI (鶴岡工高専)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 65th  Page： ROMBUNNO.18a-E201-5  Publication year： Mar. 05, 2018 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gate dielectric film ,  titanium oxide ,  gallium compound ,  zinc compound ,  indium oxide ,  *thin film transistor ,  drive ,  *thallium oxide ,  production method ,  indium gallium zinc oxide
Semi thesaurus term： IGZO(semiconductor) ,  TFT ,  sputtering method ,  low voltage drive

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： Ta2O5 ,  ゲート絶縁膜 ,  トランジスタ ,  低電圧駆動