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J-GLOBAL ID：201802239113302613   Reference number：18A0226445

S雰囲気中フラッシュ蒸着によるSi(001)上CuInS₂薄膜のエピタキシャル成長

Author (3)： EMA YOSHINORI (静岡大 工) ,  MASUDA YUTO (静岡大 工) ,  TAKAHASHI TAKAHIRO (静岡大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
Volume： J100-C  Issue： 11  Page： 545-548 (WEB ONLY)  Publication year： Nov. 01, 2017 
JST Material Number： U0472A  ISSN： 1881-0217  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Sulfur ,  *atmosphere (environment) ,  *flash deposition ,  *silicon ,  *indium compound ,  *copper compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  *thin film ,  *epitaxy ,  wafer ,  substrate temperature ,  epitaxial film ,  *copper indium sulfide ,  Si wafer
Semi thesaurus term： *CuInS2 ,  silicon substrate

JST classification (1)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Reference (15)：

• K. Ito, N. Matsumoto, T. Horiuchi, K. Ichino, H. Shimoyama, T. Ohashi, Y. Hashimoto, I. Hengel, J. Beier, R. Klenk, A. Jäger-Waldau, and M.C. Lux- Steiner, “Theoretical model and device performance of CuInS₂ thin film solar cell,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.39, part 1, no.1, pp.126-136, Jan. 2000.
• S. Steeger and K. Ellmer, “Reactive magnetron sputtering of CuInS₂ absorbers for thin film solar cells: problems and prospects,” Thin Solid Films, vol.517, pp.3143-3147, 2009.
• T. Watanabe and M. Matsui, “Solar cells based on CuInS₂ thin films through sulfurization of precursors prepared by reactive sputtering with H₂S gas,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.35, part 1, no.3, pp.1681-1684, March 1996.
• T. Onishi, K. Abe, Y. Miyoshi, M. Iwai, and K. Wakita, “Defect states in CuInS₂ crystals grown by traveling heater method,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.44, no.1B, pp.722-724, Jan. 2005.
• F.O. Adurodija, J. Song, S.D. Kim, S.K. Kim, and K.H. Yoon, “Characterization of CuInS₂ thin films grown by close-spaced vapor sulfurization of co-sputtered Cu-In alloy precursors,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.37, part 1, no.8, pp.4248-4253, Aug. 1998.

Terms in the title (6)： 雰囲気 ,  フラッシュ蒸着 ,  Si ,  CuInS2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長