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J-GLOBAL ID：201802240586808501   Reference number：18A1790638

Nanoscale investigation of the silicon carbide double-diffused MOSFET with scanning capacitance force microscopy

走査型静電容量力顕微鏡による炭化ケイ素二重拡散MOSFETのナノスケール研究

Author (4)： NAKAJIMA Mizuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  UCHIDA Yuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  SATOH Nobuo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hidekazu (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 8S1  Page： 08NB09.1-08NB09.6  Publication year： Aug. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *force microscope ,  *electrostatic capacity ,  *silicon carbide ,  *Diffusion ,  *MOSFET ,  scale ,  power transistor ,  scanning probe microscope ,  dielectric strength ,  *atomic force microscope ,  *scanning force microscope ,  nano scale ,  high withstand voltage
Semi thesaurus term： double diffusion ,  power semiconductor ,  *frequency modulation atomic force microscope

JST classification (3)： Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (33)：

• H. Yamamoto, Y. Murakami, H. Nishimura, S. Takahashi, N. Tokuda, K. Shimizu, A. Furukawa, S. Yamakawa, and M. Imaizumi, Denshi Joho Tsushin Gakkai Ronbunshi C J92-C, 159 (2009) [in Japanese].
• H. Yamamoto and T. Hashizume, Phys. Status Solidi C 8, 662 (2011).
• N. B. Hannay, Semiconductors (Reinhold Publishing Corporation, New York, 1959) p. 52.
• W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003).
• E. G. Bylander, Materials for Semiconductor Functions (Hayden, New York, 1971) p. 14.

Terms in the title (8)： 走査型 ,  静電容量 ,  力顕微鏡 ,  炭化ケイ素 ,  二重拡散 ,  MOSFET ,  ナノスケール ,  研究