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J-GLOBAL ID：201802245912709610   Reference number：18A0623786

Inserted metals for low-energy magnetoelectric switching in a Cr₂O₃/ferromagnet interfacial exchange-biased thin film system

Cr_2O_3/強磁性体界面交換バイアス薄膜系における低エネルギー磁気電気スイッチングのための挿入した金属【Powered by NICT】

Author (11)： Ye Shujun (Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-0845, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Nozaki Tomohiro ,  Kotani Yoshinori ,  Toyoki Kentaro ,  Nakamura Tetsuya ,  Yonemura Syougo ,  Shibata Tatsuo ,  Pati Satya Prakash ,  Al-Mahdawi Muftah ,  Shiokawa Yohei ,  Sahashi Masashi
Material： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical and Electronic Devices)
Volume： 6  Issue： 12  Page： 2962-2969  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： An inserted metal (IM) layer (...

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Thesaurus term： magnetic property ,  *switching ,  *Magnetics ,  antiferromagnet ,  *interface (surface) ,  *ferromagnet ,  multilayer film ,  *metal ,  *thin film ,  *switch ,  magnetic thin film ,  spin polarization ,  blocking temperature
Semi thesaurus term： スペーサ層 ,  *交換バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (3)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Magnetic properties of oxides  (BM06050E)

Terms in the title (7)： 強磁性体 ,  界面 ,  交換バイアス ,  薄膜 ,  低エネルギー ,  磁気 ,  スイッチング