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J-GLOBAL ID：201802247443241056   Reference number：18A0446758

Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment

第2種エネルギーバンドアラインメントを用いた酸化物-半導体/(Si, SiGe, Ge)二層トンネル電界効果トランジスタの提案と実証【Powered by NICT】

Author (5)： Kato K. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Matsui H. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tabata H. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takenaka M. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi S. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2017  Issue： IEDM  Page： 15.6.1-15.6.4  Publication year： 2017 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A novel bilayer tunneling fiel...

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Thesaurus term： channel ,  simulation ,  *semiconductor ,  *alignment ,  zinc oxide ,  tunnel junction ,  electric current ,  doping ,  oxide semiconductor ,  energy band ,  *bilayer
Semi thesaurus term： ゲートスタック ,  TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： エネルギー ,  バンドアラインメント ,  酸化物 ,  Si ,  SiGe ,  Ge ,  二層 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  提案 ,  実証