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J-GLOBAL ID：201802247939436872   Reference number：18A0912202

Origin of room-temperature photoluminescence around C-line in electron-irradiated Si and its applicability for quantification of carbon

電子線照射されたSiにおけるC線付近の室温光ルミネッセンスの起源およびその炭素定量化への応用

Author (4)： TAJIMA Michio (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA Yoichiro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  KIUCHI Hirotatsu (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 11  Issue： 4  Page： 041301.1-041301.5  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electron irradiation ,  *silicon ,  *photoluminescence ,  *content (quantity) ,  very low temperature ,  room temperature ,  light emission ,  heat treatment ,  band edge emission ,  *carbon content
Semi thesaurus term： *carbon content

JST classification (3)： Interactions with electrons and positrons in general  (BK16051U) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (39)：

• S. Kishino, Y. Matsushita, M. Kanamori, and T. Iizuka, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1 (1982).
• JETTA EM-3503 (2002).
• SEMI MF-1391-1107 (2004).
• T. Kojima, R. Suzuki, K. Kinoshita, K. Nakamura, A. Ogura, Y. Ohshita, E. Nishijima, I. Masada, N. Iida, and S. Tachibana, PVSEC-26, 2016, 2.1.1e.
• K. Kinoshita, T. Kojima, Y. Ohshita, and A. Ogura, PVSEC-27, 2017, 2.1.1e, p. 263.

Terms in the title (8)： 電子線照射 ,  Si ,  室温 ,  光ルミネッセンス ,  起源 ,  炭素 ,  定量化 ,  応用