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J-GLOBAL ID：201802251911921072   Reference number：18A1035044

Effect of post-implantation annealing on Al-N isoelectronic trap formation in silicon: Al-N pair formation and defect recovery mechanisms

シリコン中のAl-N等電子トラップ形成に及ぼす注入後アニーリングの影響:Al-N対形成と欠陥回復機構【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Mori Takahiro (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Morita Yukinori (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsukawa Takashi (Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
Material： AIP Advances (Web)
Volume： 8  Issue： 5  Page： 055024-055024-6  Publication year： 2018 
JST Material Number： U7121A  ISSN： 2158-3226  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The effect of post-implantatio...

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Thesaurus term： *Aluminum ,  photoluminescence ,  critical temperature ,  cluster ,  ion implantation ,  *silicon ,  *annealing (heat treatment) ,  nitrogen atom ,  *isoelectronic trap
Semi thesaurus term： 原子配置 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (5)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Positron annihilation  (BK16052L) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L)

Terms in the title (8)： シリコン ,  Al ,  等電子トラップ ,  注入 ,  アニーリング ,  対形成 ,  欠陥 ,  回復