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J-GLOBAL ID：201802257917555372   Reference number：18A1008189

Deep-level defects in homoepitaxial p-type GaN

ホモエピタキシャルp型GaNにおける深準位欠陥【JST・京大機械翻訳】

Author (1)： Nakano Yoshitaka (Department of Electrical and Electronic Engineering, Chubu University, Kasugai, Aichi 487-8501, Japan)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 36  Issue： 2  Page： 023001-023001-4  Publication year： 2018 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The author has investigated de...

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Thesaurus term： valence band ,  Magnesium ,  conduction band ,  donor ,  *HOMO ,  *gallium nitride ,  doping ,  *deep level ,  acceptor ,  segregation (concentration distribution) ,  MOCVD ,  epitaxial layer

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  深準位 ,  欠陥