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J-GLOBAL ID：201802257935672701   Reference number：18A2242853

Low-temperature activation of boron ion in silicon substrate using B₁₀H₁₄⁺ cluster and by soft X-ray irradiation

B₁₀H₁₄⁺クラスタと軟X線照射によるシリコン基板中のホウ素イオンの低温活性化

Author (3)： HEYA Akira (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  MATSUO Naoto (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KANDA Kazuhiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 11  Page： 116502.1-116502.6  Publication year： Nov. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hydride ,  *boron compound ,  *cluster ,  *soft X-ray ,  *X-ray irradiation ,  wafer ,  *boron ,  ion ,  *low temperature ,  activation ,  *semiconductor junction ,  dopant ,  synchrotron radiation facility ,  PN junction ,  sheet resistance ,  Temperature ,  *ultra shallow junction ,  synchrotron radiation facility ,  heat treatment temperature ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (2)： X-ray instruments and techniques  (BA02060D) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (40)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2013 Edition.
• H. Puchner and S. Aronowitz, MRS Proc. 568, 65 (1999).
• A. Agarwal, H. J. Gossmann, and A. T. Fiory, MRS Proc. 568, 19 (1999).
• G. Fortunato, L. Mariucci, M. Stanizzi, V. Privitera, S. Whelan, C. Spinella. G. Mannino, M. Italia, C. Bongiorno, and A. Mittiga, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 186, 401 (2002).
• A. T. Fiory and K. K. Bourdelle, Appl. Phys. Lett. 74, 2658 (1999).

Terms in the title (6)： クラスタ ,  軟X線 ,  シリコン基板 ,  ホウ素イオン ,  低温 ,  活性化