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J-GLOBAL ID：201802259413055524   Reference number：18A2052435

Melt growth of Mg₂Si crystals for IR detectors

新しい単結晶材料開発の試み 赤外センサ用Mg₂Si結晶の融液成長

Author (1)： UDONO HARUHIKO (茨城大 大学院)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 45  Issue： 3  Page： ROMBUNNO.45-3-03  Publication year： Oct. 2018 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicide ,  *magnesium compound ,  compound semiconductor ,  *Bridgman method ,  single crystal ,  *Hall mobility ,  *electron density ,  *photodiode ,  PN junction ,  electrode ,  *sensitivity(ratio) ,  *infrared detector
Semi thesaurus term： magnesium silicide ,  飽和電子密度 ,  ring electrode ,  infrared sensor

JST classification (3)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 単結晶 ,  材料開発 ,  試み ,  赤外センサ ,  融液成長