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J-GLOBAL ID：201802261690331529   Reference number：18A1699768

Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響

Author (4)： TANIGUCHI TATSUHIKO (大阪大 大学院) ,  NARUSE NOBUYASU (滋賀医大) ,  YAMASHITA YUICHIRO (産業技術総合研) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.20p-234B-10  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermal conductivity ,  *surface segregation ,  superlattice ,  silicon base alloy ,  germanium containing alloy ,  performance index ,  *MBE growth ,  semiconductor thin film ,  thermal resistance
Semi thesaurus term： semiconductor superlattice ,  *SiGe alloy ,  thermoelectric figure of merit

JST classification (2)： Specific heat and thermal conduction in general  (BL05021E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (7)： Si ,  RICH ,  SiGe ,  超格子 ,  界面 ,  偏析 ,  熱伝導率