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J-GLOBAL ID：201802262400234010   Reference number：18A1698715

p型BaSi₂/n型結晶Siヘテロ接合形成におけるBaSi₂低速蒸着の効果

Author (7)： FUJIWARA MICHINOBU (名大 院) ,  TAKAHASHI KAZUMA (名大 院) ,  NAKAGAWA YOSHIHIKO (名大 院) ,  GOTO KAZUYASU (名大 院) ,  KUROKAWA YASUYOSHI (名大 院) ,  ITO TAKASHI (名大 院) ,  USAMI NORITAKA (名大 院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.19p-436-3  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicide ,  *barium compound ,  *silicon ,  *crystal ,  *heterojunction ,  plasma CVD ,  vacuum deposition ,  Raman spectrum ,  X-ray diffraction ,  RTA ,  *crystallinity ,  crystal orientation
Semi thesaurus term： *barium silicide ,  crystal orientation

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J)

Terms in the title (4)： 結晶Si ,  ヘテロ接合 ,  低速 ,  蒸着