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J-GLOBAL ID：201802265722235274   Reference number：18A2052345

Influence of precursor concentration and growth time on the surface morphology and crystallinity of α-Ga₂O₃ thin films fabricated by mist chemical vapor deposition

ミスト化学蒸着により作製したα-Ga₂O₃薄膜の表面形態と結晶度に及ぼす前駆体濃度と成長時間の影響

Author (4)： NAKABAYASHI Yuji (Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  YAMADA Satoru (Department of Electrical Engineering, National Institute of Technology, Ishikawa College) ,  ITOH Satoshi (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  KAWAE Takeshi (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University)
Material： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (J Ceram Soc Jpn (Web))
Volume： 126  Issue： 11  Page： 925-930(J-STAGE)  Publication year： 2018 
JST Material Number： U0409A  ISSN： 1348-6535  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： mist(pollutant) ,  chemical vapor deposition ,  *gallium oxide ,  alpha phase ,  *thin film ,  morphology ,  surface structure ,  *crystallinity ,  precursor(substance) ,  concentration dependence ,  thin film growth ,  single crystal ,  sapphire ,  epitaxy ,  surface roughness ,  lattice constant ,  compound semiconductor ,  semiconductor
Semi thesaurus term： wide band gap ,  latent time ,  *surface morphology

Author keywords (7)： Mist chemical vapor deposition ,  Wide bandgap semiconductors ,  Gallium oxide ,  Epitaxial growth ,  Precursor concentration ,  Surface morphology ,  Crystallinity

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (32)：

• 1) H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 050001 (2013).
• 2) T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 040103 (2015).
• 3) S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 030101 (2015).
• 4) J. Millán, P. Godignon, X. Perpiñà, A. Pérez-Tomás and J. Rebollo, IEEE Trans. Power Electron., 29, 2155 (2014).
• 5) H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 7565-7586 (2006).

Terms in the title (9)： ミスト ,  化学蒸着 ,  作製 ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  表面形態 ,  結晶度 ,  前駆体 ,  成長