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J-GLOBAL ID：201802273815920428   Reference number：18A1921846

Si(100)-2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離

Author (5)： KAKIUCHI TAKUHIRO (愛媛大 理) ,  YAMASAKI HIDEKI (愛媛大 理) ,  TSUKADA CHIE (日本原子力研究開発機構) ,  TSUKADA CHIE (名大 シンクロトロン光研究セ) ,  YOSHIGOE AKITAKA (名大 シンクロトロン光研究セ)
Material： 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web)  (Program & Abstract. Annual Meeting of Japan Society for Molecular Science (Web))
Volume： 12th  Page： ROMBUNNO.2P049 (WEB ONLY)  Publication year： 2018 
JST Material Number： U0350A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  crystal face ,  *ultrathin film ,  *Oxygen ,  *Adsorption ,  *desorption ,  *Hafnium ,  silicide ,  photoelectron spectrum ,  evaporated film ,  *oxidation ,  silicon dioxide

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (7)： Si ,  清浄表面 ,  作製 ,  ハフニウム ,  超薄膜 ,  酸素吸着 ,  脱離