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J-GLOBAL ID：201802274356918309   Reference number：18A0695071

多層ディラック電子系EuMnBi₂における元素置換を利用したゼーベック・ネルンスト効果の制御

Author (10)： TSURUDA KEIGO (大阪大 大学院) ,  SAKAI HIDEAKI (大阪大 大学院) ,  SAKAI HIDEAKI (JST-さきがけ) ,  MASUDA HIDETOSHI (東大 工) ,  ISHIWATA SHINTARO (JST-さきがけ) ,  ISHIWATA SHINTARO (東大 工) ,  OCHI MASAYUKI (大阪大 大学院) ,  KUROKI KAZUHIKO (大阪大 大学院) ,  MURAKAWA HIROSHI (大阪大 大学院) ,  HANASAKI NORIAKI (大阪大 大学院)
Material： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
Volume： 73  Issue： 1  Page： ROMBUNNO.22aK103-2  Publication year： Mar. 23, 2018 
JST Material Number： S0671C  ISSN： 2189-079X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *multistory structure ,  *electron ,  *relativistic effect ,  Dirac equation ,  *Europium ,  *Manganese ,  *Bismuth ,  *alloy ,  *effect ,  *thermoelectromotive force ,  *Nernst effect ,  *galvanomagnetic effect ,  electric conduction ,  Fermi level ,  single crystal ,  *Dirac electron ,  *Element Substitution Effect ,  electron conduction
Semi thesaurus term： *europium ,  *manganese ,  *bismuth ,  *Seebeck effect ,  *anomalous Nernst effect ,  Fermi energy

JST classification (2)： Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M) ,  Crystal structure of metals  (BK06000V)

Terms in the title (4)： 多層 ,  ディラック電子 ,  元素 ,  置換