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J-GLOBAL ID：201802276720545289   Reference number：18A0118522

Seebeck effect measurement of rare metal free oxide semiconductor

レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定

Author (6)： NOMURA RYUKI (龍谷大) ,  ARAMAKI TATSUYA (龍谷大) ,  MATSUDA TOKIYOSHI (龍谷大) ,  UMEDA KENTA (奈良先端科学技術大学院大) ,  UENUMA MUTSUNORI (奈良先端科学技術大学院大) ,  KIMURA MUTSUMI (龍谷大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 372(EID2017 11-29)  Page： 29-34  Publication year： Dec. 15, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermoelectric effect ,  *thermoelectromotive force ,  compound semiconductor ,  *gallium compound ,  *stannate ,  *semiconductor thin film ,  annealing (heat treatment) ,  flow rate ,  thin film growth ,  pressure effect ,  electrical conductivity ,  exhaust heat recovery ,  thermoelectric conversion ,  experiment ,  electrical characteristic ,  oxide semiconductor ,  oxygen flow rate
Semi thesaurus term： Seebeck effect ,  thermoelectric characteristic

JST classification (1)： Thermoelectric devices  (NC03090J)

Reference (12)：

• R. Venkatsubramanian, E. Siivola, T. Colpitts and B. O'Quinn. ′′Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit.′′ Nature 413.6856, pp.597-602, 2001
• Snyder, G. Jeffrey, and Eric S. Toberer ′′Complex thermoelectric materials.′′ Nature materials 7.2, pp.105-114, 2008
• K. Matsuhira, et al ′′Thermal expansion of PrRu₄P₁₂.′′ Physical B: Condensed Matter 281, pp.298-299, 2000
• T. Matsuda, K. Umeda, Y. Kato, D. Nishimoto, M. Furuta, and M. Kimura, ′′Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor.′′ Scientific Reports, pp.7, 2017
• T. Matsuda, R. Takagi, K. Umeda, and M. Kimura, ′′Room-temperature fabrication of a Ga-Sn-O thin-film transistor.′′ Solid-State Electronics, 134, pp.19-21, 2017

Terms in the title (3)： レアメタル ,  酸化物半導体 ,  ゼーベック効果