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J-GLOBAL ID：201802278171356941   Reference number：18A1810939

Adaptive ECC Techniques for Reliability and Yield Enhancement of Phase Change Memory

相変化メモリの信頼性と歩留り向上のための適応ECC技術【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Lu Shyue-Kung (Dept. Electrical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Li Hui-Ping (Dept. Electrical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Miyase Kohei (Dept. Creative Informatics, Kyushu Institute of Technology, Fukuoka, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2018  Issue： IOLTS  Page： 226-227  Publication year： 2018 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The yield and reliability issu...

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Thesaurus term： error correction ,  word ,  hardware ,  *reliability (property) ,  failure ,  *memory (computer) ,  DRAM ,  soft error ,  storage device ,  *yield improvement
Semi thesaurus term： オーバヘッド ,  ジレンマ ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (4)： 相変化メモリ ,  歩留り向上 ,  適応 ,  ECC